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然而，输电生二维材料的原子级厚度使得其合成很大程度上依赖于基底的表面性质，输电生因此目前大多数制备块体单晶的方法都无法用来制造大尺寸二维半导体单晶。综合研究成果，通道作者认为该工作为范德华二维半导体的工业化提供了新的思路和可能性。【引言】在硅电子技术中实现对二维范德华半导体的集成通常要求生产大规模、可再均一以及高度晶化的薄膜

2021年04月09日，源比于相关成果以题为Seeded2Depitaxyoflarge-areasingle-crystalfilmsofthevanderWaalssemiconductor2HMoTe2的文章在线发表在Science上。由此得到的单晶薄膜可完全覆盖2.5厘米级晶片，例原同时还具有非常有益的均一性。

在这一制备过程中，则上研究人员首先在非晶绝缘晶片中心精心植入单核，并由此触发2H二碲化钼半导体的横向扩张。

不仅如此，不低这一制备得到的半导体薄膜还可以自身微模板，进一步进行垂直模式的快速外延。对于合金纳米催化剂，局局建华结合电子和几何效应，通过利用从活性金属中溢出的氢原子，在催化性惰性金属上发生了溢出加氢。

此外，长章表面配体内的氢键网络应被视为促进质子转移的重要因素。也讨论了有机修饰剂在金属纳米催化剂上诱导3D空间和电子效应，新建从而控制了加氢过程的机制。

输电生第一步是制备能将H2活化成质子和电子对的金属催化剂。但是，通道与均相催化剂和生物催化剂不同，通道非均相金属催化剂通常被认为具有复杂，多个和不清楚的活性位点，导致在选择性催化所需反应的催化特异性方面存在巨大缺陷。